5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.86 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 180665 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | TO-220 |
| Samacsys Released Date： | 2015-07-22 14:47:05 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIP31AG | ONSEMI |
完全替代  |
Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
|
| TIP31A-BP | MCC |
完全替代 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIP31A(TO-220AB) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
|
| TIP31A_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Power transistors |
|
| TIP31A16 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP31A16A | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP31A-6203 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP31A-6226 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP31A-6255 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| TIP31A-6261 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP31A-6263 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| TIP31A-6264 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
