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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N5666S | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5666U3 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5667 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5667S | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5671 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5672 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5679 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N5680 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5 |
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| JANTXV2N5681 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD |
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| JANTXV2N5682 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD |
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