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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANTXV2N5415
JANTXV2N5415 PDF预览

JANTXV2N5415

更新时间： 2024-11-25 23:01:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 61K
描述
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N5415 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.23Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-5
JESD-30 代码：O-MBCY-W4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Qualified参考标准：MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：10000 ns最大开启时间（吨）：1000 ns
Base Number Matches：1

JANTXV2N5415 数据手册

 浏览型号JANTXV2N5415的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 485  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
2N5415  
2N5415S  
2N5416  
2N5416S  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N5415 2N5416 Units  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
200  
300  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
200  
350  
6.0  
1.0  
TO- 5*  
2N5415, 2N5416  
Total Power Dissipation @ TA = +250C  
@ TC = +250C  
0.75  
10  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Temperature Range  
-65 to +200  
Top, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
17.5  
R
qJC  
2N5415S, 2N5416S  
TO-39*  
(TO-205AD)  
*See appendix A for  
1) Derate linearly 4.28 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 57.1 mW/0C for TC > +250C  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 150 Vdc  
VCE = 200 Vdc  
VCE = 250 Vdc  
VCE = 300 Vdc  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
2N5415  
2N5415  
2N5416  
2N5416  
50  
1.0  
50  
ICEO  
1.0  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 6.0 Vdc  
IEBO  
mAdc  
20  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 200 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
VCE = 300 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 175 Vdc  
VCB = 280 Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 200 Vdc  
mAdc  
mAdc  
2N5415  
2N5416  
ICEX  
50  
50  
mAdc  
mAdc  
2N5415  
2N5416  
ICBO1  
50  
50  
2N5415  
2N5416  
ICBO2  
500  
500  
VCB = 350 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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12

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JANTXV2N5415 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N5415 MICROSEMI

完全替代

 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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JAN2N5415 MICROSEMI

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JANTXV2N5415UA ETC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET,
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