Datasheet > JANTXV2N5545

JANTXV2N5545

更新时间： 2024-11-23 19:48:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	56K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTXV2N5545 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-71	包装说明：	,
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	FET 技术：	JUNCTION
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

JANTXV2N5545 数据手册

2N5545/46/47/JANTX/JANTXV

Vishay Siliconix

Monolithic N-Channel JFET Duals

PRODUCT SUMMARY

Part Number

V_GS(off)(V)

V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_GMax (pA) jV_GS1– V_GS2j Max (mV)

2N5545

2N5546

2N5547

–0.5 to –4.5

–50

1.5

–50

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Monolithic Design

D High Slew Rate

D Tight Differential Match vs. Current

D Wideband Differential Amps

D Improved Op Amp Speed, Settling Time

D High-Speed, Temp-Compensated,

Accuracy

Single-Ended Input Amps

D Low Offset/Drift Voltage

D Low Gate Leakage: 3 pA

D Low Noise

D Minimum Input Error/Trimming Requirement

D Insignificant Signal Loss/Error Voltage

D High System Sensitivity

D High-Speed Comparators

D Impedance Converters

D High CMRR: 100 dB

D Minimum Error with Large Input Signal

DESCRIPTION

The 2N5545/5546/5547JANTX/JANTXV are monolithic dual

n-channel JFETs designed to provide high input impedance

(I_G< 50 pA) for general-purpose differential amplifiers. The

2N5545 features minimum system error and calibration (5 mV

offset maximum).

TO-71

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 mA

Power Dissipation :

Notes

Per Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250 mW

Total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

a. Derate 2 mW/_C above 25_C

b. Derate 4 mW/_C above 25_C

Document Number: 70253

S-04031—Rev. C, 04-Jun-01

www.vishay.com

8-1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与JANTXV2N5545相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5546	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-71,
JANTXV2N5547	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET,
JANTXV2N5581	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-46
JANTXV2N5582	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-46
JANTXV2N5660	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5661	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5662	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5663	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5664	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5664	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2

与JANTXV2N5545相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N5545

JANTXV2N5545 技术参数

JANTXV2N5545 数据手册

与JANTXV2N5545相关器件

与JANTXV2N5545相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N5545

JANTXV2N5545 技术参数

JANTXV2N5545 数据手册

与JANTXV2N5545相关器件

与JANTXV2N5545相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？