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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF | JEDEC-95代码： | TO-71 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N5547 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET, |
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| JANTXV2N5581 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-46 |
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| JANTXV2N5582 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-46 |
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| JANTXV2N5660 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5661 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5662 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5663 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5664 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5664 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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| JANTXV2N5665 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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