JANTXV2N5661

更新时间： 2024-11-02 05:11:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N5661 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/454E	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

JANTXV2N5661 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 454

Devices

Qualified Level

JAN, JANTX

JANTXV

2N5660

2N5661

2N5662

2N5663

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N5660 2N5661

2N5662 2N5663

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

200

250

300

400

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_CER

V_EBO

I_B

6.0

0.5

2.0

TO-66*

(TO-213AA)

2N5660, 2N5661

Collector Current

I_C

2N5660 2N5662

2N5661 2N5663

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

@ T_C= +100⁰C

2.0⁽¹⁾

20⁽³⁾

1.0⁽²⁾

15⁽⁴⁾

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

2N5660

2N5661

2N5662

2N5663

Characteristics

Symbol

Unit

TO-5*

2N5662, 2N5663

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

qJC

⁰C/W

5.0

87.5

6.67

145.8

qJA

1) Derate linearly 11.4 mW/⁰C for T_A>+ 25⁰C

2) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

3) Derate linearly 200 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

4) Derate linearly 150 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

200

300

Vdc

2N5660, 2N5662

2N5661, 2N5663

V_(BR)

CEO

Collector-Base Breakdown Voltage

250

400

Vdc

I_C= 10 mAdc, R_BE= 100W

2N5660, 2N5662

2N5661, 2N5663

V_(BR)

CER

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

6.0

V_(BR)

EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTXV2N5661 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N5661	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5661	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5661	MICROSEMI	功能相似	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5662	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5663	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5664	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5664	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2
JANTXV2N5665	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5665	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2
JANTXV2N5666	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5666	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3
JANTXV2N5666S	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTXV2N5666U3	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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