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JANTXV2N4238 PDF预览

JANTXV2N4238

更新时间： 2024-02-10 13:18:31
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 52K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5

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JANTXV2N4238 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.26
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/581
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
Base Number Matches：1

JANTXV2N4238 数据手册

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The documentation process conversion measures  
necessary to comply with this revision shall be  
completed by 10 December 1999.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/581A  
10 September 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/581  
23 April 1990  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON AMPLIFIER,  
TYPES 2N4237, 2N4238 AND 2N4239 JAN, JANTX AND JANTXV  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN , silicon, amplifier transistors. Three levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1, (TO-39).  
1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T = +25 C.  
°
A
Type  
P
T
1/  
P
T
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
I
C
I
B
T and T  
op STG  
T
= +25 C T = +25 C  
° °  
C
A
1/  
2/  
W
W
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
C
°
2N4237  
2N4238  
2N4239  
1.0  
1.0  
1.0  
6.0  
6.0  
6.0  
50  
80  
100  
40  
60  
80  
6.0  
6.0  
6.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
1/ Derate linearly 5.7 mW/ C for T > +25 C;  
°
°
A
1/ Derate linearly 34 mW/ C for T > +25 C;  
°
°
C
1.4 Primary electrical characteristics at T = +25 C.  
°
A
h
FE  
at V  
CE = 1.0 V dc 1/  
V
V
I
CE(sat)2 1/  
BE(sat)2 1/  
/h  
fe  
f = 10 MHz  
/
C
obo  
f = 1.0 MHz  
Limits  
R
JC  
q
I
C = 1.0 A dc  
C = 1.0 A dc  
max  
I
I
B = 0.1 A dc  
V
V
h
h
h
FE3  
B = 0.1 A dc  
CE = 10 V dc CB = 10 V dc  
I
FE1  
FE2  
I
I
C
= 100 mA dc I = 250 mA dc I = 500 mA dc  
C C  
C = 100 mA dc  
C = 0  
C
°
pF  
V dc  
1.5  
Min  
30  
30  
30  
3.0  
Max  
150  
29  
100  
0.6  
1 Pulsed see 4.5.1.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this  
document should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, 3990 East Broad Street,  
Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end  
of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...15

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与JANTXV2N4238相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N4239 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
JANTXV2N4261 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-72
JANTXV2N4261UB ETC

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 		BJT
JANTXV2N4399 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3
JANTXV2N4416A MICROSEMI

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 		N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4416AUB MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JANTXV2N4449 RAYTHEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,
JANTXV2N4449U ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC
JANTXV2N4449UA ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC
JANTXV2N4449UB ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC

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