Datasheet > JANTXV2N4860UB

JANTXV2N4860UB

更新时间： 2024-11-23 16:36:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	50K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTXV2N4860UB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	40 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JESD-30 代码：	R-XDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/385D
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N4860UB 数据手册

TECHNICAL DATA

N-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 385

Devices

Qualified

Level

JAN

2N4861

2N4856

2N4857

2N4858

2N4859

2N4860

JANTX

2N4856UB 2N4857UB 2N4858UB 2N4859UB 2N4860UB 2N4861UB

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25⁰C unless otherwise noted)

2N4856 2N4859

Parameters / Test Conditions

Symbol 2N4857 2N4860 Unit

2N4858 2N4861

Gate-Source Voltage

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

-40

-30

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate Current

TO-18*

(TO-206AA)

Power Dissipation

T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

T_C= +25⁰C⁽²⁾

P_T

0.36

1.8

-65 to +200

⁰C

Surface Mount

(UB version)

Operating Junction & Storage Temperature Range

(1) Derate linearly 2.06 mW/⁰C for T_A> 25⁰C.

(2) Derate linearly 10.3 mW/⁰C for T_C> 25⁰C.

T_j, T_stg

*See appendix A

for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Units

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

2N4856, 2N4857, 2N4858

2N4859, 2N4860, 2N4861

(BR)GSS

-40

-30

Vdc

Gate-Source “Off” State Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 0.5 hAdc

2N4856, 2N4859

2N4857, 2N4860

2N4858, 2N4861

-4.0

-2.0

-0.8

-10

-6.0

-4.0

V_GS(on)

Vdc

Gate Reverse Current

V_DS= 0, V_GS= -20 Vdc

V_DS= 0, V_GS= -15 Vdc

Drain Current

2N4856, 2N4857, 2N4858

2N4859, 2N4860, 2N4861

I_GSS

-0.25

I_D(off)

0.25

V_GS= -10 Vds, V_DS= 15 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

022802

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与JANTXV2N4860UB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N4861	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4861UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU
JANTXV2N4865	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 90A I(C) \| STR-1/2
JANTXV2N4930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-39
JANTXV2N4930U4	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JANTXV2N4931	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 250V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-39
JANTXV2N4931U4	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JANTXV2N4957	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-72
JANTXV2N4957UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| LLCC
JANTXV2N5002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA

与JANTXV2N4860UB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N4860UB

JANTXV2N4860UB 技术参数

JANTXV2N4860UB 数据手册

与JANTXV2N4860UB相关器件

与JANTXV2N4860UB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N4860UB

JANTXV2N4860UB 技术参数

JANTXV2N4860UB 数据手册

与JANTXV2N4860UB相关器件

与JANTXV2N4860UB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？