JANTXV2N5038

更新时间： 2024-11-22 21:54:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTXV2N5038 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	SIMILAR TO TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/439E	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

JANTXV2N5038 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 439

Devices

Qualified Level

JAN

2N5038

2N5039

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N5038 2N5039 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

150

125

7.0

5.0

I_C

140

P_T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_op_,T

stg

TO-3*

(TO-204AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

1.25

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 800 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

Vdc

2N5038

2N5039

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 25 mAdc

7.0

V_(BR)

EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 150 Vdc

V_CE= 125 Vdc

1.0

mAdc

2N5038

2N5039

I_CBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 70 Vdc

V_CE= 55 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_BE= -1.5 Vdc V_CE= 100 Vdc

V_BE= -1.5 Vdc V_CE= 85 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1.0

mAdc

2N5038

2N5039

I_CEO

I_EBO

I_CEX

1.0

mAdc

5.0

2N5038

2N5039

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JANTXV2N5038 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5038G	ONSEMI	功能相似	NPN Silicon Transistors 20 AMPERE POWER TRANSISTORS 90 VOLTS - 140 WATTS
2N3442G	ONSEMI	功能相似	High−Power Industrial Transistors

与JANTXV2N5038相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5039	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5109	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-39
JANTXV2N5109UB	ETC	获取价格	BJT
JANTXV2N5114	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JANTXV2N5114G	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A
JANTXV2N5114UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JANTXV2N5115	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET
JANTXV2N5115G	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A
JANTXV2N5115UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, CE
JANTXV2N5116	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL J-FET

与JANTXV2N5038相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

55
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N5038

JANTXV2N5038 技术参数

JANTXV2N5038 数据手册

JANTXV2N5038 替代型号

与JANTXV2N5038相关器件

与JANTXV2N5038相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N5038

JANTXV2N5038 技术参数

JANTXV2N5038 数据手册

JANTXV2N5038 替代型号

与JANTXV2N5038相关器件

与JANTXV2N5038相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？