Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANTXV2N5151L

JANTXV2N5151L

更新时间： 2024-11-23 12:09:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N5151L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.22
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/545E	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
最大关闭时间（toff）：	1500 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
Base Number Matches：	1

JANTXV2N5151L 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/545

DEVICES

LEVELS

JAN

2N5151

2N5153

JANTX

JANTXV

JANS

2N5151L

2N5151U3

2N5153L

2N5153U3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

2N5151, 2N5153, L

2N5151U3, 2N5153U3

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

@ T_A= +25°C ⁽³⁾

@ T_C= +25°C ⁽⁴⁾

1.0

1.16

100

TO-5

2N5151L, 2N5153L

(See Figure 1)

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.75 (U3)

Thermal Resistance, Junction-to Case

°C/W

Note:

1) Derate linearly 5.7mW/°C for T_A> +25°

2) Derate linearly 66.7mW/°C for T_A> +25°

3) Derate linearly 6.63mW/°C for T_A> +25°

4) Derate linearly 571mW/°C for T_A> +25°

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-39 (TO-205AD)

2N5151, 2N5153

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

V_(BR)CEO

I_EBO

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

U-3

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

2N5151U3, 2N5153U3

Collector-Base Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

T4-LDS-0132 Rev. 1 (091476)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JANTXV2N5152	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5152L	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5152U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), NPN,
JANTXV2N5153	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5153L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5153U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5154	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5154L	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5154U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,

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