JANTXV2N5153U3

更新时间： 2024-11-23 12:09:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
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描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N5153U3 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	70
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

JANTXV2N5153U3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/545

DEVICES

LEVELS

JAN

2N5151

2N5153

JANTX

JANTXV

JANS

2N5151L

2N5151U3

2N5153L

2N5153U3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

2N5151, 2N5153, L

2N5151U3, 2N5153U3

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

@ T_A= +25°C ⁽³⁾

@ T_C= +25°C ⁽⁴⁾

1.0

1.16

100

TO-5

2N5151L, 2N5153L

(See Figure 1)

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.75 (U3)

Thermal Resistance, Junction-to Case

°C/W

Note:

1) Derate linearly 5.7mW/°C for T_A> +25°

2) Derate linearly 66.7mW/°C for T_A> +25°

3) Derate linearly 6.63mW/°C for T_A> +25°

4) Derate linearly 571mW/°C for T_A> +25°

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-39 (TO-205AD)

2N5151, 2N5153

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

V_(BR)CEO

I_EBO

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

U-3

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

2N5151U3, 2N5153U3

Collector-Base Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

T4-LDS-0132 Rev. 1 (091476)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5154	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5154L	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5154U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTXV2N5157	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal,
JANTXV2N5237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANTXV2N5237S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANTXV2N5238	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANTXV2N5238S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANTXV2N5250	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 90A I(C) \| STR-1/2
JANTXV2N5251	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 90A I(C) \| STR-1/2

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