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JANTXV2N5154L

更新时间： 2024-11-23 05:11:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N5154L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.21	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N5154L 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 544

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N5152

2N5152L

2N5154

2N5154L

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

All Units

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

Vdc

V_CBO

5.5

Vdc

V_EBO

(3, 4)

TO- 5*

2N5152L, 2N5154L

2.0

Adc

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

1.0

11.8

P_T

T_j_,T

Operating & Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 5.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 66.7 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

3) Derate linearly 80 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

4) This value applies for P_W£ 8.3 ms, duty cycle £ 1%

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

qJC

2N5152, 2N5154

TO-39*

(TO-205AD)

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc, I_B= 0

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc, I_C= 0

Symbol

V_(BR)CEO

I_EBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

1.0

mAdc

V_EB= 5.5 Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 0

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 0

1.0

mAdc

I_CES

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 40 Vdc, I_B= 0

I_CEO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTXV2N5154L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N5154	MICROSEMI	完全替代	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3
JANTXV2N5154	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N5154	MICROSEMI	完全替代	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTXV2N5154L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N5154U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTXV2N5157	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal,
JANTXV2N5237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANTXV2N5237S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANTXV2N5238	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANTXV2N5238S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANTXV2N5250	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 90A I(C) \| STR-1/2
JANTXV2N5251	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 90A I(C) \| STR-1/2
JANTXV2N5302	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N5303	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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