JANS2N5151

更新时间： 2024-11-23 12:46:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
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4页	178K
描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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JANS2N5151 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-5	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.21	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANS2N5151 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/545

DEVICES

LEVELS

JAN

2N5151

2N5153

JANTX

JANTXV

JANS

2N5151L

2N5151U3

2N5153L

2N5153U3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

2N5151, 2N5153, L

2N5151U3, 2N5153U3

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

@ T_A= +25°C ⁽³⁾

@ T_C= +25°C ⁽⁴⁾

1.0

1.16

100

TO-5

2N5151L, 2N5153L

(See Figure 1)

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.75 (U3)

Thermal Resistance, Junction-to Case

°C/W

Note:

1) Derate linearly 5.7mW/°C for T_A> +25°

2) Derate linearly 66.7mW/°C for T_A> +25°

3) Derate linearly 6.63mW/°C for T_A> +25°

4) Derate linearly 571mW/°C for T_A> +25°

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-39 (TO-205AD)

2N5151, 2N5153

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

V_(BR)CEO

I_EBO

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

U-3

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

2N5151U3, 2N5153U3

Collector-Base Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

T4-LDS-0132 Rev. 1 (091476)

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JANS2N5151 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N5151L	MICROSEMI	功能相似	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N5151	MICROSEMI	功能相似	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
2N5151	MICROSEMI	功能相似	Silicon PNP Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N5151L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5151U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5152	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-39
JANS2N5152L	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3
JANS2N5152U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), NPN,
JANS2N5153	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5153L	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5153U3	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANS2N5154	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3
JANS2N5154L	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, TO-5, 3

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