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JANS2N5154U3

更新时间： 2024-01-24 07:54:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	46K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,

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JANS2N5154U3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	Base Number Matches：	1

JANS2N5154U3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/544

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

2N5152

2N5152L

2N5152U3 2N5154U3

2N5154

2N5154L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation ⁽¹⁾

@ T_A= +25°C

@ T_C= +25°C

1.0

P_T

TO-5

2N5152L, 2N5154L

Operating & Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance, Junction-to Case ⁽¹⁾

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.7 (U3)

°C/W

Note:

1) See 19500/544 for thermal derating curves.

2) This value applies for P_W≤ 8.3ms, duty cycle ≤ 1%.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

TO-39 (TO-205AD)

2N5152, 2N5154

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

V_(BR)CEO

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

I_EBO

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

ON CHARACTERTICS

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 50mAdc, V_CE= 5Vdc

U-3

---

2N5152

2N5154

2N5152

2N5154

2N5152U3, 2N5154U3

h_FE

I_C= 2.5Adc, V_CE= 5Vdc

200

T4-LDS-0039 Rev. 1 (080797)

Page 1 of 2

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JANS2N5154U3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JAN2N5154U3	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTXV2N5154U3	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANTX2N5154U3	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,

与JANS2N5154U3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N5237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANS2N5237S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANS2N5238	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANS2N5238S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 170V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5VAR
JANS2N5339	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD
JANS2N5339U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA
JANS2N5401UBG	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管150 V、0.5 A
JANS2N5401UBT	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管150 V、0.5 A
JANS2N5415	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-39
JANS2N5415S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-39

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