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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N5551UBG | STMICROELECTRONICS |
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高可靠性NPN双极性晶体管160 V、0.5 A |
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| JANS2N5551UBT | STMICROELECTRONICS |
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高可靠性NPN双极性晶体管160 V、0.5 A |
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| JANS2N5664 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N5665 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N5666 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N5666S | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N5666U3 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N5667 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N5667S | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JANS2N6193 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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