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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 6 |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/510 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6251T1 | MICROSEMI |
完全替代  |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
|
| JANTXV2N6251T1 | MICROSEMI |
完全替代 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
|
| JAN2N6251T1 | MICROSEMI |
完全替代 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6338 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| JANS2N6339 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| JANS2N6340 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| JANS2N6676 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
|
| JANS2N6676T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| JANS2N6678 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| JANS2N6760 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| JANS2N6764 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANS2N6766 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANS2N6768 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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