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JANS2N6251T1 PDF预览

JANS2N6251T1

更新时间： 2024-02-10 04:55:08
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 194K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

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JANS2N6251T1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.21Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：6
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：175 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/510
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANS2N6251T1 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/510  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N6249  
2N6250  
2N6251  
2N6249T1  
2N6250T1  
2N6251T1  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N6249 2N6250 2N6251  
2N6249T1 2N6250T1 2N6251T1  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
200  
300  
275  
375  
6.0  
10  
350  
450  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
IB  
5.0  
TO-3 (TO-204AA)  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
PT  
6.0  
175  
W
@ TC = +25°C (2)  
Operating & Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
NOTES:  
Top, Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
1.0  
°C  
°C/W  
(1) Derate linearly at 34.2 mW/°C for TA > +25°C  
(2) Derate linearly at 1.0 mW/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
TO-254  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 20mAdc; L = 42mH; f = 30 – 60Hz  
(See Figure 10 of MIL-PRF-19500/510)  
2N6249, T1  
2N6250, T1  
2N6251, T1  
200  
275  
350  
V(BR)CEO  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200mAdc; L = 14mH; f = 30 – 60Hz; 2N6249, T1  
225  
300  
375  
V(BR)CER  
Vdc  
RBE = 50Ω  
2N6250, T1  
2N6251, T1  
(See Figure 10 of MIL-PRF-19500/510)  
Emitter-Base Cutoff Current  
IEBO  
100  
µAdc  
V
EB = 6.0Vdc  
T4-LDS-0197 Rev. 1 (110296)  
Page 1 of 5  
12345

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JANS2N6251T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6251T1 MICROSEMI

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANTXV2N6251T1 MICROSEMI

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JAN2N6251T1 MICROSEMI

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2

与JANS2N6251T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N6338 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANS2N6339 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANS2N6340 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
JANS2N6676 MICROSEMI

获取价格

 		Transistor
JANS2N6676T1 MICROSEMI

获取价格

 		Transistor
JANS2N6678 MICROSEMI

获取价格

 		Transistor
JANS2N6760 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
JANS2N6764 MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N6766 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N6768 MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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