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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6676 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| JANS2N6676T1 | MICROSEMI |
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Transistor |
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| JANS2N6678 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| JANS2N6760 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| JANS2N6764 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANS2N6766 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANS2N6768 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANS2N6782 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANS2N6784 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANS2N6786 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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