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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> JANS2N5667S
JANS2N5667S PDF预览

JANS2N5667S

更新时间： 2024-02-25 19:33:37
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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JANS2N5667S 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

JANS2N5667S 数据手册

 浏览型号JANS2N5667S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANS2N5667S的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/455  
DEVICES  
LEVELS  
2N5664  
2N5665  
2N5666  
2N5666S  
2N5666U3  
2N5667  
2N5667S  
JAN  
JANTX  
JANTV  
JANS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N5664  
2N5666, S 2N5667, S  
2N5665  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
200  
250  
300  
400  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
TO-66 (TO-213AA)  
2N5664, 2N5665  
6.0  
1.0  
5.0  
Collector Current  
IC  
2N5664 2N5666, S  
2N5665 2N5667, S  
2N5666U3  
Total  
Power Dissipation  
1/  
@ TA = +25°C  
@ TC = +100°C  
2.5  
30  
1.2  
15  
1.5  
35  
PT  
W
Operating & Storage Junction  
Temperature Range  
TO-5  
2N5666, 2N5667  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
°C  
Note: 1) Consult 19500/455 for thermal derating curves.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
TO-39 (TO-205AD)  
2N5666S, 2N5667S  
IC = 10mAdc  
2N5664, 2N5666  
250  
400  
V(BR)CER  
V(BR)EBO  
ICES  
Vdc  
Vdc  
2N5665, 2N5667  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
6.0  
IE = 10μAdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 200Vdc  
2N5664, 2N5666  
2N5665, 2N5667  
0.2  
0.2  
μAdc  
VCE = 300Vdc  
U-3  
2N5666U3  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 200Vdc  
2N5664, 2N5666  
2N5665, 2N5667  
0.1  
1.0  
μAdc  
V
CB = 250Vdc  
VCB = 300Vdc  
CB = 400Vdc  
mAdc  
ICBO  
0.1  
1.0  
μAdc  
mAdc  
V
T4-LDS-0062 Rev. 1 (081095)  
Page 1 of 3  
123

中文翻译

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JANS2N5667S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N5667 MICROSEMI

完全替代

 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANTX2N5667 MICROSEMI

完全替代

 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JAN2N5667S MICROSEMI

完全替代

 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

与JANS2N5667S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N6193 ETC

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JANS2N6249 MICROSEMI

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JANS2N6250T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANS2N6251T1 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2
JANS2N6338 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 140V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL
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 		Transistor

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