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JANS2N6786

更新时间: 2024-11-28 09:37:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 294K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39,

JANS2N6786 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.7
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (ID):1.25 A最大漏源导通电阻:3.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON

JANS2N6786 数据手册

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