Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANS2N5153U3

JANS2N5153U3

更新时间： 2024-09-27 12:46:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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JANS2N5153U3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.47
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	Base Number Matches：	1

JANS2N5153U3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/545

DEVICES

LEVELS

JAN

2N5151

2N5153

JANTX

JANTXV

JANS

2N5151L

2N5151U3

2N5153L

2N5153U3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

2N5151, 2N5153, L

2N5151U3, 2N5153U3

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

@ T_A= +25°C ⁽³⁾

@ T_C= +25°C ⁽⁴⁾

1.0

1.16

100

TO-5

2N5151L, 2N5153L

(See Figure 1)

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.75 (U3)

Thermal Resistance, Junction-to Case

°C/W

Note:

1) Derate linearly 5.7mW/°C for T_A> +25°

2) Derate linearly 66.7mW/°C for T_A> +25°

3) Derate linearly 6.63mW/°C for T_A> +25°

4) Derate linearly 571mW/°C for T_A> +25°

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-39 (TO-205AD)

2N5151, 2N5153

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

V_(BR)CEO

I_EBO

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

U-3

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

2N5151U3, 2N5153U3

Collector-Base Cutoff Current

I_CEO

µAdc

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

T4-LDS-0132 Rev. 1 (091476)

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JANS2N5154U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
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