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JANS2N5415S

更新时间: 2024-02-06 05:00:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 748K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39

JANS2N5415S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.49
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-XDSO-N4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/485H
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):10000 ns
最大开启时间(吨):1000 nsBase Number Matches:1

JANS2N5415S 数据手册

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