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JANS2N5339U3

更新时间： 2024-11-26 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA, SMD5, 3 PIN

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JANS2N5339U3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-276AA
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-276AA	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/560	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANS2N5339U3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/560

DEVICES

LEVELS

JAN

2N5339

2N5339U3

JANTX

JANTXV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

100

6.0

1.0

5.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Collector Current

I_C

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

1.0

17.5

Total Power Dissipation

P_T

TO-39

(TO-205AD)

@ T_C= +25°C ⁽³⁾– U3

Operating & Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance, Junction-to Air

NOTES:

T_op, T_stg

R_θJA

-65 to +200

175

°C

°C/W

1) Derate linearly 5.71mW/°C for T_A> 25°C

2) Derate linearly 100mW/°C for T_C> 25°C

3) Derate linearly 434mW/°C for T_C> 25°C – U3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 50mAdc

V_(BR)CEO

100

Vdc

U-3

(TO-276AA)

Collector-Emitter Cutoff Current

I_CEO

100

1.0

µAdc

_CE= 100Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

I_CEX

_CE= 90Vdc, V_BE= 1.5Vdc

Collector-Base Cutoff Current

I_CBO

1.0

_CB= 100Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0Vdc

I_EBO

100

T4-LDS-0011 Rev. 3 (101764)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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