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JANTXV2N4931

更新时间： 2024-01-30 12:45:48

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其他 - ETC		晶体晶体管
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16页	84K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 250V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-39

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JANTXV2N4931 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/397H
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N4931 数据手册

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/397G

1 April 2002

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/397F

21 April 2000

The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 1 July 2002.

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, PNP, SILICON

TYPES 2N3743, 2N4930, AND 2N4931

JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, high-voltage transistor.

Four levels of product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500. Two levels of

product assurance for die are provided for each unencapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500

* 1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-39) and figures 2 and 3 for JANHC and JANKC (die) dimensions.

1.3 Maximum ratings.

Type

P_T(1)

P_T(2)

V_CBO

V_EBO

V_CEO

I_C

T_Jand T_STG

T_A= +25°C

T_C= +25°C

V dc

300

200

250

V dc

300

200

250

mA dc

200

°C

2N3743

2N4930

2N4931

1.0

-65 to +200

200

(1) Derate linearly at 5.71 mW/°C above T_A> +25°C.

(2) Derate linearly at 28.6 mW/°C above T_C> +25°C.

Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in

improving this document should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-

VAC, Post Office Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement

Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this document or by letter.

AMSC N/A

FSC 5961

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N4931U4	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JANTXV2N4957	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-72
JANTXV2N4957UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| LLCC
JANTXV2N5002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANTXV2N5003	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANTXV2N5004	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANTXV2N5005	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-210AA
JANTXV2N5010	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5,
JANTXV2N5010S	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JANTXV2N5011	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5,

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