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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.61 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 35 V |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/428E |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N4449 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
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| JANTXV2N4449U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC |
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| JANTXV2N4449UA | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | LLCC |
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| JANTXV2N4449UB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | LLCC |
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| JANTXV2N4854 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-78, |
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| JANTXV2N4854U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-226(6) |
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| JANTXV2N4856 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL J-FET |
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| JANTXV2N4857 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET |
|
| JANTXV2N4858 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET |
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| JANTXV2N4858UB | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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