Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> JANTXV2N4416AUB

JANTXV2N4416AUB

更新时间： 2024-02-13 17:53:48

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	51K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, CERAMIC PACKAGE-3

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JANTXV2N4416AUB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	35 V	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/428E
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N4416AUB 数据手册

TECHNICAL DATA

N-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 428

Devices

Qualified Level

JAN

2N4416A

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameters / Test Conditions

Symbol

2N4416A

Unit

Gate-Source Voltage

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate Current

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

-35

300

Vdc

mAdc

mWdc

⁰C

TO-72*

(TO-206AF)

Power Dissipation

T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating Junction & Storage Temperature Range T_op, T_stg-65 to +200

(1) Derate linearly 1.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C.

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Gate Reverse Current

V_DS= 0, V_GS= 20 Vdc

Drain Current

Symbol

V_(BR)GSS

I_GSS

Min.

Max.

Units

-35

Vdc

-0.1

hAdc

mAdc

V_DS= 15 Vdc

I_DSS

Gate-Source Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 0.5 mAdc

Gate-Source Cutoff Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 1.0 hAdc

Gate-Source Forward Voltage

V_DS= 0 Vdc, I_G= 1.0 mAdc

V_GS

-1

-5.5

Vdc

V_GS(off)

V_GSF

-2.5

-6.0

Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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与JANTXV2N4416AUB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N4449	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,
JANTXV2N4449U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| LLCC
JANTXV2N4449UA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| LLCC
JANTXV2N4449UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| LLCC
JANTXV2N4854	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-78,
JANTXV2N4854U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 40V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| TO-226(6)
JANTXV2N4856	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4857	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4858	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4858UB	MICROSEMI	获取价格	暂无描述