Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> JANTXV2N4859UB

JANTXV2N4859UB

更新时间： 2024-11-23 13:09:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
3页	58K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3

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JANTXV2N4859UB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	25 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	R-XDSO-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/385D	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANTXV2N4859UB 数据手册

TECHNICAL DATA

N-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 385

Devices

Qualified Level

JAN

2N4856 2N4857

2N4858 2N4859

2N4860

2N4861

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25⁰C unless otherwise noted)

2N4856 2N4859

Parameters / Test Conditions

Symbol 2N4857 2N4860 Unit

2N4858 2N4861

Gate-Source Voltage

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

-40

-30

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate Current

TO-18*

(TO-206AA)

Power Dissipation

T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

T_C= +25⁰C ⁽²⁾

P_T

0.36

1.8

-65 to +200

⁰C

Operating Junction & Storage Temperature Range

(1) Derate linearly 2.06 mW/⁰C for T_A> 25⁰C.

(2) Derate linearly 10.3 mW/⁰C for T_C> 25⁰C.

T_j, T_stg

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Units

V_(BR)GSS

-40

-30

Vdc

2N4856, 2N4857, 2N4858

2N4859, 2N4860, 2N4861

Gate-Source “Off” State Voltage

-4.0

-2.0

-0.8

-10

-6.0

-4.0

V_DS= 15 Vdc, I_D= 0.5 hAdc

2N4856, 2N4859

2N4857, 2N4860

2N4858, 2N4861

V_GS(on)

Vdc

Gate Reverse Current

V_DS= 0, V_GS= -20 Vdc

V_DS= 0, V_GS= -15 Vdc

Drain Current

2N4856, 2N4857, 2N4858

2N4859, 2N4860, 2N4861

I_GSS

-0.25

I_D(off)

0.25

V_GS= -10 Vds, V_DS= 15 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N4860	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4860UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU
JANTXV2N4861	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET
JANTXV2N4861UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU
JANTXV2N4865	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 90A I(C) \| STR-1/2
JANTXV2N4930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-39
JANTXV2N4930U4	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JANTXV2N4931	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 250V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-39
JANTXV2N4931U4	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JANTXV2N4957	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-72

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