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JANTXV2N4261UB

更新时间： 2024-02-18 12:27:08
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
18页 107K
描述
BJT

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JANTXV2N4261UB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.16Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/511
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：3.5 ns
最大开启时间（吨）：2.5 nsBase Number Matches：1

JANTXV2N4261UB 数据手册

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INCH-POUND  
The documentation and process conversion measures necessary to  
comply with this document shall be completed by 2 July 2002.  
MIL-PRF-19500/511E  
2 April 2002  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/511D  
19 January 2001  
PERFORMANCE SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, PNP, SILICON, SWITCHING  
TYPE 2N4261, 2N4261UB, JAN, JANTX, JANTXV AND JANS, JANHC AND JANKC  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP silicon, switching transistors. Four  
levels of product assurance are provided for each encapsulated device type and two levels for unencapsulated dice  
as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-72), figure 2 (UB) and figure 3 (JANHC, JANKC).  
1.3 Maximum ratings.  
R
ΘJA  
P
V
V
V
I
C
T
TJ and T  
T
CBO  
CEO  
EBO  
J
STG  
T
= +25°C (1)  
A
mW  
200  
V dc  
15  
V dc  
15  
V dc  
4.5  
mA dc  
30  
°C  
°C  
°C/mW  
200  
-65 to +200  
0.860  
(1) Derate linearly 1.14 mW/°C above TA = +25°C.  
1.4 Primary electrical characteristics at TA = +25°C, unless otherwise specified.  
h
h
Switching  
(1)  
(1)  
h
|h  
|
FE1  
FE2  
r ’ C  
b c  
(1)  
FE3  
fe2  
V
I
= 1.0 V dc  
V
= 1.0 V dc  
CE  
= 30 mA dc  
V
= 1.0 V dc  
V
I
= 10 V dc  
V
= 4.0 V dc  
CE  
CE  
CE  
CE  
t
t
I
on  
I
= 1 mA dc  
= 10 mA dc  
= 10 mA dc  
I = 5 mA dc  
off  
C
C
C
C
C
f = 100 MHz  
f = 31.8 MHz  
ps  
ns  
ns  
Min  
25  
30  
20  
20  
Max  
150  
60  
2.5  
3.5  
See note on next page.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in  
improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC,  
P.O. Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD  
Form 1426) appearing at the end of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N4399 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3
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 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-226(6)
JANTXV2N4856 MICROSEMI

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