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JANTXV2N4150S

更新时间： 2024-01-24 02:00:43

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其他 - ETC		晶体晶体管
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21页	100K
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-39

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JANTXV2N4150S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/394
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	2000 ns
最大开启时间（吨）：	550 ns	Base Number Matches：	1

JANTXV2N4150S 数据手册

The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 5 October 2002.

INCH-POUND

MIL-PRF-19500/394G

5 July 2002

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/394F

23 April 2001

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER SWITCHING

TYPES: 2N4150, 2N5237, 2N5238, 2N4150S, 2N5237S, AND 2N5238S

JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power, high voltage

transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in

MIL-PRF-19500 and two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.

1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO- 5) and figures 2 and 3 (JANHC and JANKC).

1.3 Maximum ratings.

Types

CBO

CEO

EBO

and

R_qJC

(max)

R_qJA

(min)

T (1)

T (2)

STG

= +25°C

+25°C

V dc

A dc

°C

°C/mW

2N4150, S

2N5237, S

2N5238, S

1.0

5.0

100

150

200

120

170

-65 to +200

.020

.175

(1) Derate linearly 5.7 mW/°C for T_A> +25°C.

(2) Derate linearly 50 mW/°C for T_C> +100°C.

Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in

improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O.

Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form

1426) appearing at the end of this document or by letter.

AMSC N/A

FSC 5961

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N4234	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4235	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4236	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4237	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4238	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4239	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
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JANTXV2N4399	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3
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