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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.11 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/391 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N3700 | MICROSEMI |
完全替代  |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N3700 | MICROSEMI |
完全替代 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N3700 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3700S | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3700UB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) |
|
| JANTX2N3715 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3716 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N3735 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JANTX2N3735L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-5VAR |
|
| JANTX2N3737 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-46 |
|
| JANTX2N3737UB | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| JANTX2N3739 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 250MA I(C) | TO-66 |
|
| JANTX2N3740 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP POWER SILICON TRANSISTOR |
|
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