Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANTX2N3637L

JANTX2N3637L

更新时间： 2024-11-10 22:57:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

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JANTX2N3637L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	175 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/357H	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	650 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

JANTX2N3637L 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 357

Devices

Qualified Level

JAN

2N3634

2N3635

2N3636

2N3637

JANTX

2N3634L

2N3635L

2N3636L

2N3637L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

140

175

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO-39* (TO-205AD)

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

140

175

5.0

1.0

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

1.0

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

140

175

Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 140 Vdc

hAdc

mAdc

I_CBO

100

2N3634, 2N3635

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc

I_CEO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N3637L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N3637	MICROSEMI	完全替代	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
2N3637L	MICROSEMI	类似代替	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

与JANTX2N3637L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N3637UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANTX2N3700	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3700	ONSEMI	获取价格	MIL-PRF-19500/391: 80 V, 1 A NPN Small Signal Transistor
JANTX2N3700S	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3700UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C)
JANTX2N3715	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3716	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3735	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JANTX2N3735L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-5VAR
JANTX2N3737	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-46

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