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JANSR2N7390U PDF预览

JANSR2N7390U

更新时间： 2024-11-21 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 355K
描述
Rad hard, -200V, -4A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC packageage - 18-pin LCC, 100 krad(Si) TID, QPL

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JANSR2N7390U 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：171 mJ
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.92 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/630表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSR2N7390U 数据手册

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PD-91804F  
IRHE9230  
JANSR2N7390U  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-18)  
200V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/630  
RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
IRHE9230  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
-4.0A  
-4.0A  
JANSR2N7390U  
JANSF2N7390U  
0.80  
0.80  
IRHE93230  
Description  
Features  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
IR HiRel RAD-Hard HEXFET technology provides high  
performance power MOSFETs for space applications.  
This technology has over a decade of proven performance  
and reliability in satellite applications. These devices have  
been characterized for both Total Dose and Single Event  
Effects (SEE). The combination of low Rdson and low gate  
charge reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Surface Mount  
ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Pre-Irradiation  
Units  
-4.0  
ID @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID @ VGS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-2.4  
-16  
25  
A
IDM  
Pulsed Drain Current  
W
W/°C  
V
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
0.2  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
± 20  
171  
VGS  
EAS  
IAR  
mJ  
A
-4.0  
2.5  
mJ  
V/ns  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
-27  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (for 5s)  
0.49 (Typical)  
Weight  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2017-06-15  
12345678

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与JANSR2N7390U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7391 INFINEON

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 		TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=22A)
JANSR2N7392 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU - HOLE ( TO - 254AA )
JANSR2N7394 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 60V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 100 kra
JANSR2N7394D INFINEON

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 		暂无描述
JANSR2N7394U INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSR2N7395 INTERSIL

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 		8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7396 INTERSIL

获取价格

 		5A, 200V, 0.460 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7397 INTERSIL

获取价格

 		4A, 250V, 0.610 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7398 INTERSIL

获取价格

 		2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7399 INTERSIL

获取价格

 		11A, 100V, 0.210 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET

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