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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSR2N7394U
JANSR2N7394U PDF预览

JANSR2N7394U

更新时间： 2024-11-09 03:38:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 126K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

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JANSR2N7394U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：283 A
认证状态：Qualified参考标准：MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSR2N7394U 数据手册

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PD-90884D  
IRHN7054  
JANSR2N7394U  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
60V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/603  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHN7054  
IRHN3054  
100K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSR2N7394U  
300K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSF2N7394U  
IRHN4054  
IRHN8054  
500K Rads (Si) 0.027Ω 35A JANSG2N7394U  
1000K Rads (Si) 0.040Ω 35A JANSH2N7394U  
SMD-1  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET®  
technology provides high performance power  
MOSFETs for space applications. This technology  
has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have  
been characterized for both Total Dose and Single  
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson  
and low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Surface Mount  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
35  
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
30  
283  
D
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
35  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 (5sec)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
2.6 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
05/15/06  
12345678

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与JANSR2N7394U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7395 INTERSIL

获取价格

 		8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7396 INTERSIL

获取价格

 		5A, 200V, 0.460 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7397 INTERSIL

获取价格

 		4A, 250V, 0.610 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7398 INTERSIL

获取价格

 		2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7399 INTERSIL

获取价格

 		11A, 100V, 0.210 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7400 INTERSIL

获取价格

 		8A, 200V, 0.440 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7401 INTERSIL

获取价格

 		6A, 250V, 0.600 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7402 INTERSIL

获取价格

 		3A, 500V, 2.70 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7402 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
JANSR2N7403 INTERSIL

获取价格

 		22A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFET

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