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JANSR2N7422U

更新时间： 2024-11-18 12:04:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 132K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT

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JANSR2N7422U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/662
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSR2N7422U 数据手册

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PD - 90885F  
IRHN9150  
JANSR2N7422U  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/662  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-1)  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
JANSR2N7422U  
JANSF2N7422U  
IRHN9150  
100K Rads (Si)  
0.080Ω  
0.080Ω  
-22A  
-22A  
IRHN93150 300K Rads (Si)  
SMD-1  
International Rectifier’s RADHard HEXFETTM  
technology provides high performance power  
MOSFETs for space applications. This technology  
has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have  
been characterized for both Total Dose and Single  
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson  
and low gate charge reduces the power losses in  
switching applications such as DC to DC converters  
and motor control. These devices retain all of the  
well established advantages of MOSFETs such as  
voltage control, fast switching, ease of paralleling  
and temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-22  
-14  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
-88  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
150  
W
W/°C  
V
C
1.2  
V
GS  
Gate-to-SourceVoltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
-22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
AR  
dv/dt  
-23  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
STG  
StorageTemperature Range  
PCKG Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 ( for 5s)  
2.6 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/07/04  
12345678

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JANSR2N7422U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANSF2N7422U INFINEON

完全替代

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT
IRHN93150 INFINEON

完全替代

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT
IRHN9150 INFINEON

完全替代

 TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.120ohm, Id=-22A)

与JANSR2N7422U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7423 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)
JANSR2N7423U INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSR2N7424 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -60V, -35A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 100 k
JANSR2N7424D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
JANSR2N7424U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -60V, -48A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(Si
JANSR2N7425 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -35A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 100
JANSR2N7425U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -38A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-2 package - SMD-2, 100 krad(S
JANSR2N7426 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANSR2N7426U INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
JANSR2N7430T1 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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