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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 43 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.077 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 172 A | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/664 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRHNA8260 | INFINEON |
功能相似  |
TRANSISTOR N-CHANNEL |
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| IRHNA7260 | INFINEON |
功能相似 |
TRANSISTOR N-CHANNEL |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANSR2N7434 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANSR2N7438 | INTERSIL |
获取价格 |
Formerly Available As FSL913A0R4, Radiation Hardened, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSF |
|
| JANSR2N7438 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| JANSR2N7439 | INTERSIL |
获取价格 |
Formerly Available As FSL923A0R4, Radiation Hardened, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSF |
|
| JANSR2N7440 | INTERSIL |
获取价格 |
Formerly Available as FSS913A0R4, Radiation Hardened, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSF |
|
| JANSR2N7463T2 | INFINEON |
获取价格 |
Rad hard, 400V, 3A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 kra |
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| JANSR2N7464T2 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| JANSR2N7465U3 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
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| JANSR2N7466U3 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANSR2N7467U2 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
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