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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.06 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-205AD |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/349D |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 90 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3507A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HE |
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| JAN2N3507AL | ETC |
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BJT |
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| JAN2N3507AU4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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| JAN2N3507L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
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| JAN2N3584 | MICROSEMI |
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NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3585 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3634 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3634 | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita |
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| JAN2N3634L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JAN2N3634L | ONSEMI |
获取价格 |
MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-5 3-Lead, 100-BLKBX, Militar |
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