5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.88 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-72 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N0930 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| JAN2N1011 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1016B | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
|
| JAN2N1016C | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
|
| JAN2N1021A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1022A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1039 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-11VAR |
|
| JAN2N1041 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-11VAR |
|
| JAN2N1042 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | IST-3RT-1/2 |
|
| JAN2N1043 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | IST-3RT-1/2 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
