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JAN2N1016B

更新时间: 2024-11-27 21:20:23
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APITECH 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-82, 2 PIN

JAN2N1016B 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-82
包装说明:TO-82, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.19外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7.5 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:O-MBPM-D2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:150 W最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):0.02 MHz
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

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