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JAN2N0930

更新时间: 2024-11-29 19:21:11
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雷神 - RAYTHEON /
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

JAN2N0930 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JAN2N0930 数据手册

 浏览型号JAN2N0930的Datasheet PDF文件第2页 

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N1011 ETC

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JAN2N1016B APITECH

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JAN2N1044 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | IST-3RT-1/2