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IXYQ40N65B3D1

更新时间： 2024-02-21 15:53:51

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	222K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYQ40N65B3D1 数据手册

IXYH40N65B3D1

IXYQ40N65B3D1

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

TO-247 Outline

Min.

Typ.

Max.

g_fs

I_C= 40A, V_CE= 10V, Note 1

C_ies

C_oes

C_res

1880

210

V_CE= 25V, V_GE= 0V, f = 1MHz

P

Q_g(on)

Q_ge

Q_gc

I_C= 40A, V_GE= 15V, V_CE= 0.5 • V_CES

t_d(on)

t_ri

E_on

t_d(off)

t_fi

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= 30A, V_GE= 15V

Terminals: 1 - Gate

3 - Emitted

2 - Collector

0.80

140

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

V_CE= 400V, R_G= 10

A₁

A₂

4.7

2.2

5.3

2.54

2.6

.185 .209

.087 .102

.059 .098

Note 2

E_of

0.70

1.25

t_d(on)

t_ri

b₁

b₂

1.0

1.65

2.87

1.4

2.13

3.12

.040 .055

.065 .084

.113 .123

Inductive load, T_J= 150°C

I_C= 30A, V_GE= 15V

E_on

t_d(off)

t_fi

1.60

176

174

1.15

.016 .031

.819 .845

.610 .640

20.80 21.46

15.75 16.26

V_CE= 400V, R_G= 10

5.20

19.81 20.32

4.50

5.72 0.205 0.225

Note 2

.780 .800

.177

E_off

P 3.55

3.65

.140 .144

R_thJC

R_thCS

0.50 °C/W

°C/W

5.89

6.40 0.232 0.252

0.25

4.32

6.15 BSC

5.49

.170 .216

242 BSC

TO-3P Outline

Reverse Diode (FRED)

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

V_F

I_F= 30A, V_GE= 0V, Note 1

2.5

T_J= 150°C

1.2

I_rr

t_rr

T_J= 150°C

125

I_F= 30A, V_GE= 0V,

-di_F/dt = 500A/μs, V_R= 400V

R_thJC

0.60 °C/W

1 = Gate

2,4

Collector

3 = Emitter

Notes:

1. Pulse test, t  300μs, duty cycle, d  2%.

2. Switching times & energy losses may increase for higher V_CE(clamp), T_Jor R_G.

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived

from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute a

"considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test

conditions, and dimensions without notice.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6 7 8

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