5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXYQ40N65B3D1
IXYQ40N65B3D1 PDF预览

IXYQ40N65B3D1

更新时间： 2024-02-21 15:53:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 222K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXYQ40N65B3D1 数据手册

 浏览型号IXYQ40N65B3D1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXYQ40N65B3D1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXYQ40N65B3D1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXYQ40N65B3D1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXYQ40N65B3D1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IXYQ40N65B3D1的Datasheet PDF文件第8页 
IXYH40N65B3D1  
IXYQ40N65B3D1  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
3.2  
2.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
7
6
5
4
3
2
1
0
3.2  
2.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
E
R
E
on - - - -  
off  
E
E
on - - - -  
off  
= 10  
V
= 15V  
GE  
Ω ,  
G
T
J
= 150ºC , V = 15V  
GE  
V
= 400V  
CE  
V
= 400V  
CE  
I
= 60A  
C
T
J
= 150ºC  
T
J
= 25ºC  
I
= 30A  
C
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
55  
60  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
55  
IC (A)  
RG (ꢀ)  
Fig. 15. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
240  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
440  
400  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
t f i  
t
d(off) - - - -  
E
R
E
on - - - -  
off  
T
= 150ºC, V = 15V  
= 10  
VGE = 15V  
Ω ,  
J GE  
G
I
= 60A  
C
V
= 400V  
VCE = 400V  
CE  
I
= 30A  
C
I
= 60A  
C
IC = 30A  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
55  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
RG (ꢀ)  
TJ (ºC)  
Fig. 18. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
240  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
260  
t f i  
t
d(off) - - - -  
t f i  
t
d(off) - - - -  
240  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
R
G
= 10 , V = 15V  
Ω
R
G
= 10 , V = 15V  
Ω
GE  
GE  
V
= 400V  
V
= 400V  
CE  
CE  
T = 150ºC  
J
I
= 30A  
C
I
= 60A  
C
T = 25ºC  
J
60  
60  
40  
40  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
55  
60  
TJ (ºC)  
IC (A)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXYQ40N65B3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYQ40N65C3D1 IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information
IXYQ40N65C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR100N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR50N120C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT12N250CV1HV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT20N120C3D1HV LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT30N450HV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT30N65C3H1HV LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT40N120A4HV LITTELFUSE

获取价格

 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYT55N120A4HV LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IXYQ40N65B3D1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证