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IXYH30N65C3H1

更新时间: 2023-12-06 20:13:08
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力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
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7页 293K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产,具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

IXYH30N65C3H1 数据手册

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IXYT30N65C3H1HV  
IXYH30N65C3H1  
Fig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
6
5
4
3
2
1
0
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
12  
10  
8
E
T
V
E
on - - - -  
off  
E
R
E
on - - - -  
off  
= 150ºC , V = 15V  
= 10  
V
= 15V  
GE  
,  
J
GE  
G
= 400V  
V
= 400V  
CE  
CE  
I
= 60A  
C
6
T
J
= 150ºC  
4
2
T
J
= 25ºC  
40  
I
= 30A  
C
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
15  
20  
25  
30  
35  
45  
50  
55  
60  
RG - Ohms  
IC - Amperes  
Fig. 15. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
7
t f i  
t
d(off) - - - -  
E
E
on - - - -  
off  
= 10  
6
5
4
3
2
1
0
R
VGE = 15V  
T = 150ºC, V = 15V  
J GE  
,  
G
VCE = 400V  
V
= 400V  
CE  
I
= 60A  
C
I
= 60A  
C
I
= 30A  
C
IC = 30A  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TJ - Degrees Centigrade  
RG - Ohms  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
160  
140  
120  
100  
80  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
t f i  
t
d(off) - - - -  
t f i  
t
d(off) - - - -  
95  
90  
85  
80  
75  
70  
65  
60  
R
G
= 10 , V = 15V  
GE  
R
G
= 10 , V = 15V  
GE  
V
= 400V  
CE  
V
= 400V  
CE  
T = 150ºC  
J
I
= 60A  
C
I
= 30A  
C
T = 25ºC  
J
60  
40  
20  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
55  
60  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TJ - Degrees Centigrade  
IC - Amperes  
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