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| 力特 - LITTELFUSE |  |
栅栅极 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 199K |  |
| 描述 | ||
| 不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。 凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或 | ||
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTH6N60 | IXYS | Transistor |
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| IXTH6N80 | IXYS | N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH6N80A | IXYS | N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH6N90 | IXYS | Standard Power MOSFET |
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| IXTH6N90A | IXYS | Standard Power MOSFET |
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| IXTH72N20 | IXYS | N-Channel Enhancement Mode |
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