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IXTA24N65X2

更新时间： 2024-01-18 23:49:40

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6页	288K
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Power Field-Effect Transistor

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IXTA24N65X2 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.37	Base Number Matches：	1

IXTA24N65X2 数据手册

IXTA24N65X2 IXTP24N65X2

IXTH24N65X2

Fig. 8. Input Admittance

Fig. 7. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

= 125^oC

25^oC

- 40^oC

-50

-25

100

125

150

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 9. Transconductance

= - 40^oC

25^oC

125^oC

= 125^oC

= 25^oC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

I_D- Amperes

V_SD- Volts

Fig. 11. Gate Charge

Fig. 12. Capacitance

100000

10000

1000

100

= 1 MHz

= 325V

= 12A

= 10mA

iss

oss

rss

0.1

100

1000

Q_G- NanoCoulombs

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

V_DS- Volts

1 2 345 6

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