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IXTA200N055T2

更新时间： 2023-12-06 20:13:14

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	336K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTA200N055T2-7	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格
IXTA200N055T2-TRL	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTA200N075T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTA200N075T7	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTA200N085T	IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
IXTA-200N085T	IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格