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IXTA200N055T2

更新时间： 2023-12-06 20:13:14

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	336K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXTA200N055T2 数据手册

IXTA200N055T2

IXTP200N055T2

Fig. 14. Resistive Turn-on

Rise Time vs. Drain Current

Fig. 13. Resistive Turn-on

Rise Time vs. Junction Temperature

24.0

23.5

23.0

22.5

22.0

21.5

21.0

20.5

20.0

= 3.3Ω



= 10V

= 3.3Ω



= 10V

= 30V

= 125^oC

= 50A

= 25^oC

= 25A

105

115

125

T_J- Degrees Centigrade

I_D- Amperes

Fig. 15. Resistive Turn-on

Fig. 16. Resistive Turn-off

Switching Times vs. Gate Resistance

Switching Times vs. Junction Temperature

140

120

100

t _r

t_d(on)

t _f

t_d(off)

T_J= 125^oC, V = 10V

= 3.3Ω, V_GS= 10V

= 30V

V_DS= 30V

I_D= 25A

= 50A, 25A

I_D= 50A

105

115

125

T_J- Degrees Centigrade

R_G- Ohms

Fig. 17. Resistive Turn-off

Switching Times vs. Drain Current

Fig. 18. Resistive Turn-off

Switching Times vs. Gate Resistance

140

120

100

240

200

160

120

t _f

t_d(off)

t _f

t_d(off)

= 125^oC, V_GS= 10V

R_G= 3.3Ω, V_GS= 10V

V_DS= 30V

= 125^oC

= 25A

= 50A

= 25^oC

I_D- Amperes

R_G- Ohms

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTA200N055T2-7	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格
IXTA200N055T2-TRL	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTA200N075T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTA200N075T7	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTA200N085T	IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
IXTA-200N085T	IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格