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IXSP16N60

更新时间： 2024-10-01 22:40:59

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability

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IXSP16N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	32 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	470 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	150 ns	标称接通时间 (ton)：	30 ns
Base Number Matches：	1

IXSP16N60 数据手册

Preliminary Data Sheet

IXSA 16N60

IXSP 16N60

V_CES

I_C25

= 600V

= 16A

Low V_CE(sat)IGBT

Short Circuit SOA Capability

V_CE(sat)typ= 1.8V

TO-220AB(IXSP)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-263AA

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 150 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 32

@ 0.8 V_CES

TAB

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 82 Ω, non repetitive

µs

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

100

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Weight

^lInternational standard package

^lGuaranteed Short Circuit SOA

capability

^lLow V_CE(sat)

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering for 10s

300

°C

260

°C

- for low on-state conduction losses

^lHigh current handling capability

^lMOS Gate turn-on

- drive simplicity

^lFast fall time for switching speeds

up to 20 kHz

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 750 µA, V_CE= V_GE

600

3.5

6.5

AC motor speed control

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

Uninterruptible power supplies (UPS)

Welding

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ± 20 V

± 100

Advantages

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

1.8

2.3

High power density

96539A (05/97)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSP20N60B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB,
IXSP20N60B2D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, 3
IXSP24N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3
IXSP2N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 3A I(C) \| TO-220AB
IXSP2N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 3A I(C) \| TO-220AB
IXSR35N120BD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside)
IXSR40N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside)
IXSR40N60CD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode ISOPLUS247
IXSR45N120B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN
IXSR50N60BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS247, 3 PIN

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