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IXSP20N60B2D1

更新时间： 2024-02-24 08:19:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	174K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IXSP20N60B2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	35 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	390 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IXSP20N60B2D1 数据手册

IXSA 20N60B2D1

IXSP 20N60B2D1

V_CES= 600 V

I_C25= 35 A

V_CE(sat)= 2.5 V

High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-220 (IXSP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

T_C= 25°C

I_C110

I_F(110)

I_CM

T_C= 110°C

TO-220 (IXSA)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 82Ω

I_CM= 32

@ 0.8 V_CES

μs

Clamped inductive load

C (TAB)

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 82 Ω, non repetitive

P_C

T_C= 25°C

190

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Weight

• International standard packages

• Guaranteed Short Circuit SOA

capability

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Low V_CE(sat)

Maximum tab temperature for soldering for 10s

260

°C

- for low on-state conduction losses

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

• Fast fall time for switching speeds

up to 20 kHz

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 μA, V_GE= 0 V

I_C= 750 μA, V_CE= V_GE

600

3.5

6.5

Applications

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

μA

0.6 mA

• AC motor speed control

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Welding

T_J= 125 °C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ± 20 V

± 100

2.5

V_CE(sat)

I_C= 16A, V_GE= 15 V

Advantages

• High power density

DS99181B(12/05)

12 3 4 5 6

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