5秒后页面跳转
IXKP30N60C5 PDF预览

IXKP30N60C5

更新时间: 2024-10-28 19:45:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

IXKP30N60C5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76雪崩能效等级(Eas):708 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.125 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXKP30N60C5 数据手册

 浏览型号IXKP30N60C5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXKP30N60C5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXKP30N60C5的Datasheet PDF文件第3页 
IXKH 30N60C5  
IXKP 30N60C5  
Advanced Technical Information  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.4  
120  
80  
40  
0
VDS > 2·RDS(on) max · ID  
TJV = 150°C  
ID = 16 A  
VGS = 10 V  
6.5 V  
7 V  
5.5 V  
6 V  
25 °C  
20 V  
0.3  
0.2  
VDS  
= 5 V  
TJ =  
150 °C  
typ  
98 %  
0.1  
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
0
2
4
6
8
10  
I D [A]  
T
j [°C]  
V
[V]  
GS  
Fig. 4 Typ. drain-source on-state  
resistance  
Fig. 5 Drain-source on-state  
resistance  
Fig. 6 Typ. transfer characteristics  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
10 5  
10 4  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
10  
ID = 16 A pulsed  
25 °C, 98%  
VGS = 0 V  
f = 1 MHz  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
150 °C, 98%  
25 °C  
20 V  
40 0V  
VDS = 120 V  
TJ =150 °C  
Ciss  
Coss  
Crss  
0
0.5  
1
1.5  
2
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
0
50  
100  
[V]  
150  
200  
Q
gate [nC]  
V
[V]  
SD  
V
DS  
Fig. 7 Forward characteristic  
of reverse diode  
Fig. 8 Typ. gate charge  
Fig. 9 Typ. capacitances  
10 0  
10 -1  
10 -2  
800  
600  
400  
200  
0
700  
ID = 11 A  
ID = 0.25 mA  
0.5  
660  
620  
580  
540  
0.2  
D = tp/T  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
single pulse  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
10 0  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
20  
60  
100  
140  
180  
T
j [°C]  
T
j [°C]  
t p [s]  
Fig. 10 Avalanche energy  
Fig. 11 Drain-source break  
down voltage  
Fig. 12 Max. transient thermal  
impedance  
© 2006 IXYS All rights reserved  
4 - 4  

与IXKP30N60C5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXKP30N60C5M IXYS

获取价格

Transistor
IXKP35N60C5 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKP35N60C5 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXKP35N60C5M IXYS

获取价格

Transistor
IXKR25N80C IXYS

获取价格

Advanced Technical Information CoolMOS Power MOSFETin ISOPLUS247 Package
IXKR25N80C LITTELFUSE

获取价格

此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKR40N60 IXYS

获取价格

CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C IXYS

获取价格

CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package
IXKR40N60C LITTELFUSE

获取价格

此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
IXKR47N60C5 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,