是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 雪崩能效等级(Eas): | 708 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (ID): | 30 A |
最大漏源导通电阻: | 0.125 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXKP30N60C5M | IXYS |
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Transistor | |
IXKP35N60C5 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXKP35N60C5 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXKP35N60C5M | IXYS |
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Transistor | |
IXKR25N80C | IXYS |
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Advanced Technical Information CoolMOS Power MOSFETin ISOPLUS247 Package | |
IXKR25N80C | LITTELFUSE |
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此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS | |
IXKR40N60 | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package | |
IXKR40N60C | IXYS |
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CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package | |
IXKR40N60C | LITTELFUSE |
获取价格 |
此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS | |
IXKR47N60C5 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |