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IXKP30N60C5

更新时间： 2024-01-02 16:00:28

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	125K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXKP30N60C5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

IXKP30N60C5 数据手册

IXKH 30N60C5

IXKP 30N60C5

Advanced Technical Information

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.4

120

V_DS> 2·R_{DS(on) max}· I_D

T_JV= 150°C

I_D= 16 A

V_GS= 10 V

6.5 V

7 V

5.5 V

6 V

25 °C

20 V

0.3

0.2

V_DS

= 5 V

T_J=

150 °C

typ

98 %

0.1

-60

-20

100

140

180

I _D[A]

_j[°C]

[V]

Fig. 4 Typ. drain-source on-state

resistance

Fig. 5 Drain-source on-state

resistance

Fig. 6 Typ. transfer characteristics

10 ²

10 ¹

10 ⁰

10 ^-1

10 ⁵

10 ⁴

10 ³

10 ²

10 ¹

10 ⁰

I_D= 16 A pulsed

25 °C, 98%

V_GS= 0 V

f = 1 MHz

150 °C, 98%

25 °C

1 20 V

40 0V

V_DS= 120 V

T_J=^{150 °C}

Ciss

Coss

Crss

0.5

1.5

100

[V]

150

200

_gate[nC]

[V]

Fig. 7 Forward characteristic

of reverse diode

Fig. 8 Typ. gate charge

Fig. 9 Typ. capacitances

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-2

800

600

400

200

700

I_D= 11 A

I_D= 0.25 mA

0.5

660

620

580

540

0.2

D = t_p/T

0.1

0.05

0.02

0.01

single pulse

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

-60

-20

100

140

180

100

140

180

_j[°C]

t _p[s]

Fig. 10 Avalanche energy

Fig. 11 Drain-source break

down voltage

Fig. 12 Max. transient thermal

impedance

4 - 4

1 2 34

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