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IXKR47N60C5

更新时间： 2024-11-18 19:51:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXKR47N60C5 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：ISOPLUS247, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED雪崩能效等级（Eas）：1950 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXKR47N60C5 数据手册

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Advanced Technical Information  
IXKR 47N60C5  
CoolMOS™ 1) Power MOSFET  
VDSS  
ID25  
= 600V  
= 47A  
RDS(on) max = 45mΩ  
Electrically isolated back surface  
2500 V electrical isolation  
N-Channel Enhancement Mode  
Low RDSon, high VDSS MOSFET  
Ultra low gate charge  
ISOPLUS247TM  
D
G
G
D
q
isolated back  
surface  
S
S
E72873  
Features  
MOSFET  
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- high power dissipation  
- isolated mounting surface  
- 2500 V electrical isolation  
- low drain to tab capacitance (< 30 pF)  
• Fast CoolMOS™ 1) power MOSFET 4th  
generation  
- high blocking capability  
- lowest resistance  
- avalanche rated for unclamped  
inductive switching (UIS)  
- low thermal resistance  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C  
600  
20  
V
VGS  
V
ID25  
ID90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
47  
32  
A
A
EAS  
EAR  
single pulse  
repetitive  
1950  
3
mJ  
mJ  
ID = 11 A; TC = 25°C  
dV/dt  
MOSFET dV/dt ruggedness VDS = 0...480 V  
50 V/ns  
Symbol  
wiConditions  
Characteristic Values  
due to reduced chip thickness  
• Enhanced total power density  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Applications  
RDSon  
VGS = 10 V; ID = 44 A  
40  
3
45  
mΩ  
• Switched mode power supplies  
(SMPS)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Power factor correction (PFC)  
• Welding  
VGS(th)  
IDSS  
VDS = VGS; ID = 3 mA  
VDS = VDSS; VGS = 0 V  
2.5  
3.5  
10  
V
TVJ = 25°C  
TVJ = 150°C  
µA  
µA  
50  
• Inductive heating  
• PDP and LCD adapter  
IGSS  
VGS  
=
20 V; VDS = 0 V  
100  
nA  
Ciss  
Coss  
VGS = 0 V; VDS = 100 V  
f = 1 MHz  
6800  
320  
pF  
pF  
Advantages  
Qg  
Qgs  
Qgd  
150  
35  
50  
190  
nC  
nC  
nC  
• Easy assembly:  
no screws or isolation foils required  
• Space savings  
VGS = 0 to 10 V; VDS = 400 V; ID = 44 A  
• High power density  
• High reliability  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
30  
20  
100  
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V; VDS = 400 V  
ID = 44 A; RG = 3.3 Ω  
1) CoolMOS™ is a trademark of  
Infineon Technologies AG.  
RthJC  
RthCH  
0.45 K/W  
K/W  
with heatsink compound  
0.25  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2008 IXYS All rights reserved  
20080523b  
1 - 4  
1234

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IXKR47N60C5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MKE38RK600DFELB IXYS

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