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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FMD47-06KC5
FMD47-06KC5 PDF预览

FMD47-06KC5

更新时间： 2024-11-20 10:34:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
CoolMOS Pow er MOSFET with HiPerDyn FRED Buck and Boost Topologies

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FMD47-06KC5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.53Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1950 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T5
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FMD47-06KC5 数据手册

 浏览型号FMD47-06KC5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMD47-06KC5的Datasheet PDF文件第3页 
FMD 47-06KC5  
FDM 47-06KC5  
Advanced Technical Information  
CoolMOS™ 1) Pow er MOSFET  
with HiPerDyn™ FRED  
ID25  
VDSS  
=
47 A  
= 600 V  
RDS(on) max = 0.045 Ω  
Buck and Boost Topologies  
ISOPLUS i4™  
3
3
5
4
Electrically isolated back surface  
2500 V electrical isolation  
N-Channel Enhancement Mode  
Low RDSon, high VDSS MOSFET  
Ultra low gate charge  
T
D
T
1
4
q
isolated back  
surface  
E72873  
5
1
2
D
2
FMD  
FDM  
Features  
MOSFET T  
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- high power dissipation  
- isolated mounting surface  
- 2500 V electrical isolation  
- low drain to tab capacitance (< 40 pF)  
• Fast CoolMOS™ 1) power MOSFET 4th  
generation  
- high blocking capability  
- lowest resistance  
- avalanche rated for unclamped  
inductive switching (UIS)  
- low thermal resistance  
due to reduced chip thickness  
• Enhanced total power density  
• HiPerDyn™ FRED  
- consisting of series connected diodes  
- enhanced dynamic behaviour for  
high frequency operation  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C  
600  
20  
V
VGS  
V
ID25  
ID90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
47  
32  
A
A
EAS  
EAR  
single pulse  
repetitive  
1950  
3
mJ  
mJ  
ID = 11 A; TC = 25°C  
dV/dt  
MOSFET dV/dt ruggedness VDS = 0...480 V  
50 V/ns  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
RDSon  
VGS = 10 V; ID = 44 A  
40  
3
45  
mΩ  
VGS(th)  
IDSS  
VDS = VGS; ID = 3 mA  
VDS = VDSS; VGS = 0 V  
2.5  
3.5  
10  
V
Applications  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
µA  
µA  
50  
• Switched mode power supplies  
(SMPS)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Power factor correction (PFC)  
IGSS  
VGS  
=
20 V; VDS = 0 V  
100  
nA  
Ciss  
Coss  
VGS = 0 V; VDS = 100 V  
f = 1 MHz  
6800  
320  
pF  
pF  
Advantages  
Qg  
Qgs  
Qgd  
150  
35  
50  
190  
nC  
nC  
nC  
VGS = 0 to 10 V; VDS = 400 V; ID = 44 A  
• Easy assembly:  
no screws or isolation foils required  
• Space savings  
• High power density  
• High reliability  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
Erec off  
30  
20  
100  
10  
tbd  
tbd  
tbd  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V; VDS = 400 V  
ID = 44 A; RG = 3.3 Ω  
ns  
mJ  
mJ  
mJ  
1) CoolMOS™ is a trademark of  
Infineon Technologies AG.  
RthJC  
RthCH  
0.45 K/W  
K/W  
with heat transfer paste  
0.25  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209a  
1 - 3  
123

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FMD47-06KC5 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MKE38RK600DFELB-TRR IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXKR47N60C5 IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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