5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXKT70N60C5
IXKT70N60C5 PDF预览

IXKT70N60C5

更新时间： 2024-11-18 20:54:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 109K
描述
Power Field-Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXKT70N60C5 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1950 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：66 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXKT70N60C5 数据手册

 浏览型号IXKT70N60C5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXKT70N60C5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXKT70N60C5的Datasheet PDF文件第4页 
Advanced Technical Information  
IXKT 70N60C5  
CoolMOS™1) Power MOSFET  
ID25  
VDSS  
=
66A  
= 600V  
RDS(on) max = 0.045Ω  
N-Channel Enhancement Mode  
Low RDSon, High VDSS MOSFET  
Ultra low gate charge  
D
TO-268 AA  
G
G
q
D(TAB)  
S
S
Features  
MOSFET  
• fast CoolMOS™ 1) power MOSFET  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
4th generation  
TVJ = 25°C  
600  
20  
V
- High blocking capability  
- Lowest resistance  
VGS  
V
- Avalanche rated for unclamped  
inductive switching (UIS)  
- Low thermal resistance  
due to reduced chip thickness  
• Enhanced total power density  
ID25  
ID90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
66  
46  
A
A
EAS  
EAR  
single pulse  
repetitive  
1950  
3
mJ  
mJ  
ID = 11 A; TC = 25°C  
dV/dt  
MOSFET dV/dt ruggedness VDS = 0...480 V  
50 V/ns  
Applications  
• Switched mode power supplies  
(SMPS)  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Power factor correction (PFC)  
• Welding  
min. typ. max.  
RDSon  
VGS = 10 V; ID = 44 A  
40  
3
45  
mΩ  
• Inductive heating  
• PDP and LCD adapter  
VGS(th)  
IDSS  
VDS = VGS; ID = 3 mA  
2.5  
3.5  
10  
V
VDS = 600 V; VGS = 0 V  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
µA  
µA  
50  
1) CoolMOS™ is a trademark of  
Infineon Technologies AG.  
IGSS  
VGS  
=
20 V; VDS = 0 V  
100  
190  
nA  
Ciss  
Coss  
VGS = 0 V; VDS = 100 V  
f = 1 MHz  
6800  
320  
pF  
pF  
Qg  
Qgs  
Qgd  
150  
35  
50  
nC  
nC  
nC  
VGS = 0 to 10 V; VDS = 400 V; ID = 44 A  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
30  
20  
100  
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V; VDS = 400 V  
ID = 44 A; RG = 3.3 Ω  
RthJC  
0.23 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209e  
1 - 4  
1234

中文翻译

下载PDF

与IXKT70N60C5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXKX50N60BU1 IXYS

获取价格

 		IGBT with Diode
IXLD02SI IXYS

获取价格

 		Differential 2A Ultra Fast Laser Diode Driver
IXLD1426COA ETC

获取价格

 		Dual MOSFET Driver
IXLD1426CPA LITTELFUSE

获取价格

 		MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD1427COA ETC

获取价格

 		Dual MOSFET Driver
IXLD1427CPA LITTELFUSE

获取价格

 		MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD1428CPA LITTELFUSE

获取价格

 		MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD426C/Y LITTELFUSE

获取价格

 		MOSFET Driver, CMOS,
IXLD426CPA LITTELFUSE

获取价格

 		MOSFET Driver, CMOS, PDIP8,
IXLD426IJA LITTELFUSE

获取价格

 		MOSFET Driver, CMOS, CDIP8

与IXKT70N60C5相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证