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IXKT70N60C5

更新时间： 2024-02-03 14:45:21

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4页	109K
描述
Power Field-Effect Transistor

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IXKT70N60C5 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1950 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	66 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXKT70N60C5 数据手册

Advanced Technical Information

IXKT 70N60C5

CoolMOS™¹⁾Power MOSFET

I_D25

V_DSS

66A

= 600V

R_{DS(on) max}= 0.045Ω

N-Channel Enhancement Mode

Low R_DSon, High V_DSSMOSFET

Ultra low gate charge

TO-268 AA

D(TAB)

Features

MOSFET

• fast CoolMOS™ ¹⁾power MOSFET

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

4^thgeneration

T_VJ= 25°C

600

- High blocking capability

- Lowest resistance

V_GS

- Avalanche rated for unclamped

inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance

due to reduced chip thickness

• Enhanced total power density

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

E_AS

E_AR

single pulse

repetitive

1950

I_D= 11 A; T_C= 25°C

dV/dt

MOSFET dV/dt ruggedness V_DS= 0...480 V

50 V/ns

Applications

• Switched mode power supplies

(SMPS)

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise speciﬁed)

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Power factor correction (PFC)

• Welding

min. typ. max.

R_DSon

V_GS= 10 V; I_D= 44 A

mΩ

• Inductive heating

• PDP and LCD adapter

V_GS(th)

I_DSS

V_DS= V_GS; I_D= 3 mA

2.5

3.5

V_DS= 600 V; V_GS= 0 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

µA

¹⁾CoolMOS™ is a trademark of

Inﬁneon Technologies AG.

I_GSS

V_GS

20 V; V_DS= 0 V

100

190

C_iss

C_oss

V_GS= 0 V; V_DS= 100 V

f = 1 MHz

6800

320

Q_g

Q_gs

Q_gd

150

V_GS= 0 to 10 V; V_DS= 400 V; I_D= 44 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

100

V_GS= 10 V; V_DS= 400 V

I_D= 44 A; R_G= 3.3 Ω

R_thJC

0.23 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20090209e

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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